报告人: 杨琼  湘潭大学材料科学与工程学院

地点：环境楼 206房间；时间： 6月6日（周六），10:00 am

摘要：铁电电子器件的高密度和低成本需求，要求铁电薄膜具有较好尺寸可微缩性和与半导体工艺的兼容性。近年，与CMOS工艺兼容、小尺寸下具有较好铁电性的HfO₂基铁电材料的出现，有望突破铁电器件的发展瓶颈。报告针对HfO₂基铁电薄膜的电畴结构和极化翻转机制不明确等问题，基于第一性原理和分子动力学方法，研究了应力和电场对HfO_2铁电相变和极化翻转的诱导机制，预测了其多类型畴壁及微观结构，揭示了其双路径的极化翻转机制及相应的电畴演化规律和压电响应，并实现了两类电畴演化机制和压电效应的实验验证。研究结果对新型HfO₂基薄膜的铁电性起源和调控机制的理解与新型高密度铁电存储技术的发展具有重要意义。

报告人简介：杨琼，湘潭大学材料科学与工程学院教授、博士生导师。2013年获湘潭大学材料科学与工程专业博士学位，随后留校任教，2018-2020年在美国内布拉斯加大学林肯分校访问。湖南省优秀青年基金获得者、湖南省普通高校青年骨干教师、湘潭大学韶峰学者，担任“薄膜材料及器件”湖南省重点实验室副主任、“新材料创新与应用”湖南省科普基地负责人。长期从事铁电、多铁等电子信息材料与器件及其微观物理机制的科学研究，承担了国家自然科学基金面上项目等多个科研课题，获陕西省自然科学一等奖等奖励。在Physical Review Letters、Advanced Materials、Nano Letters等期刊发表学术论文70余篇。

邀请人：刘晓辉