报告人：邹小龙 教授

清华大学

时间：2026年6月5日（周五），下午15：30

地点：知新楼 C913

摘要：本次报告将介绍我们在二维磁性材料理论设计方面的进展。重点讨论二维阻挫体系在斯格明子和反斯格明子的可控分离及携带特定轨道角动量（OAM）的磁子的可控产生及AI加速磁性材料设计方面的工作。首先，我们提出利用Kitaev作用实现拓扑磁性结构的分离，并设计了斯格明子分离器及非门逻辑单元；其次，我们利用高Q斯格明子产生携带特点OAM的磁子。其OAM量子数和磁结构的拓扑荷相对应，并可以通过调节磁各向异性和温度来调控。在反铁磁体系中，我们观察到意料之外的斯格明子霍尔效应，并首次发现自旋轨道矩振荡带来动力学的非线性修正。最后，我将介绍利用我们自己发展的图神经网络模型实现对交错磁体和可翻转的反铁磁的快速筛选与设计。

报告人简介：邹小龙于2006年和2011年分别获得清华大学物理学学士和凝聚态物理学博士学位。2011-2016年在美国莱斯大学从事博士后研究。2016年加入清华大学深圳国际研究生院工作。研究方向集中于低维材料的生长机制、磁学和光学性质调控和器件设计的理论模拟。迄今在Chemical Review, Nature Materials, Nature Communications等国际期刊上发表学术论文130余篇，SCI引用19000次，H因子63，入选2023-2025年科睿唯安“高被引学者”。以唯一作者撰写专著《低维体系的计算材料学》（共55万字），2019年由科学出版社出版。

邀请人：马衍东